17.SK海力士用3D FeNAND实现模拟存内运算，能效最高提升5000倍
【属性】学术动态（非高爆）。
【时间】2026-10-15。
【主体】存储企业SK hynix。
【地区】韩国。
【内容】利用铁电三维NAND的极化状态在存储阵列内直接完成乘积累加，经晶胞、非晶胞与页面三层协同优化，仿真显示较传统二维非易失性存储阵列处理量最高提升20倍、能效最高提升5000倍，成果发表于IEEE论文。
第 1 期 2026.10.15—10.21
17.SK海力士用3D FeNAND实现模拟存内运算，能效最高提升5000倍
【属性】学术动态（非高爆）。
【时间】2026-10-15。
【主体】存储企业SK hynix。
【地区】韩国。
【内容】利用铁电三维NAND的极化状态在存储阵列内直接完成乘积累加，经晶胞、非晶胞与页面三层协同优化，仿真显示较传统二维非易失性存储阵列处理量最高提升20倍、能效最高提升5000倍，成果发表于IEEE论文。