17.中微全球首台气相高选择性刻蚀设备付运，提供三维器件刻蚀工艺解决方案
【属性】产业动态（非高爆）。
【时间】2026-10-22。
【主体】半导体设备企业中微公司。
【地区】中国。
【内容】设备面向环栅晶体管、三维闪存与三维动态存储，采用全对称腔体、集成气柜与双制热制冷基座，实验室验证硅锗与硅选择比大于700比1；该环节此前由泛林、东京电子与应用材料主导，国产设备首次进入下一代三维器件的核心刻蚀工序。
【来源】企业官方新闻·中微公司（原文）；交叉验证：经济参考报（新华社，原文）。【存疑提示】属首台付运并进入客户产线，尚未取得第三方量产验证，选择比为公司实验室数据，定稿时若拿到客户端量产确认可上调评级。